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标题
Investigation of interfacial impurities in m-plane GaN regrown p-n junctions for high-power vertical electronic devices
相关领域
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网址
https://doi.org/10.1117/12.2322005
AI链接 osti.gov osti.govdoi.org
DOI
10.1117/12.2322005 doi
其它 期刊：
作者：Isaac Stricklin; Morteza Monavarian; Andrew Aragon; Greg Pickrell; Mary H. Crawford; et al
出版日期：2018-09-07
求助人
Dracule 在 2025-10-12 12:57:59 发布自天津，悬赏 20 积分
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