EUV via hole pattern fidelity enhancement through novel resist and post-litho plasma treatment

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标题	EUV via hole pattern fidelity enhancement through novel resist and post-litho plasma treatment 通过新型抗蚀剂和光刻后等离子体处理提高EUV通孔图案保真度相关领域极紫外光刻抵抗极端紫外线忠诚缩放比例高保真材料科学计算机科学纳米技术光电子学电子工程光学物理工程类电信电气工程数学几何学激光器图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1117/12.2297661
DOI	10.1117/12.2297661 doi
其它	期刊：作者：Liesbeth Reijnen; P. Choi; Mu Feng; Chris Spence; Stijn Schoofs; et al 出版日期：2018-03-13
求助人	bamboo 在 2025-10-27 07:30:16 发布自河南，悬赏 20 积分
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