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 Transient diffusion of ion-implanted B in Si: Dose, time, and matrix dependence of atomic and electrical profiles 离子注入B在Si中的瞬态扩散：原子和电分布的剂量、时间和基质依赖性
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：N. E. B. Cowern; K.T.F. Janssen; H.F.F. Jos 出版日期：1990-12-15 |
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