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 Effects of sapphire substrate orientation on Sn-doped α-Ga2O3 grown by halide vapor phase epitaxy using α-Cr2O3 buffers 蓝宝石基片取向对使用a-Cr2 O3缓冲层的卤相生长掺锡的a-Ga 2 O3的影响
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期刊：Journal of Physics D: Applied Physics 作者：Alexander Polyakov; Vladimir Nikolaev; Sergey Stepanov; Alexei Almaev; Alexei Pechnikov; et al 出版日期：2022-09-30 |
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