| 标题 |
 Self‐Rectifying MoS2 Memtransistor via Asymmetry Contact Metal Engineering for Neuromorphic Computing 通过非对称接触金属工程自纠正MoS 2 Mem晶体管用于神经形态计算
相关领域
神经形态工程学
材料科学
纳米技术
不对称
金属
光电子学
计算机科学
物理
人工神经网络
人工智能
冶金
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Small 作者：Tian Tan; Maheswari Sivan; Kai Zhou; Haoyue Guo; Yiting Wu; et al 出版日期：2025-06-29 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
cdercder
我能私信骂你吗
Criminology34
Nole
秋风
DOC_XIONG
GlenHe
修仙中
mym66616
xiaolizi
aaaa
Kao
arniu2008
水煮电吹风
静香的皮蛋
dde
lili
sagitar
然宝
皖公网安备34019202002308
