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 GaN HEMT with improved electrical performance enabled by hybrid AlN nucleation layers 相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
光电子学
成核
蓝宝石
外延
薄脆饼
退火（玻璃）
宽禁带半导体
制作
图层（电子）
晶体管
位错
溅射沉积
Crystal（编程语言）
薄板电阻
电子迁移率
钝化
腔磁控管
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Bowei Yu; Haochen Zhang; Hongyu Liu; Jiayao Li; F Ye; et al 出版日期：2026-03-02 |
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