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标题
The Role of Ti Buffer Layer Thickness on the Resistive Switching Properties of Hafnium Oxide-Based Resistive Switching Memories
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DOI
10.1021/acs.langmuir.7b00479 doi
其它 期刊:Langmuir
作者:S. Z. Rahaman; Yu-De Lin; Heng-Yuan Lee; Yu-Sheng Chen; Pang-Shiu Chen; et al
出版日期:2017-05-01
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生动绫 在 2026-08-31 10:22:04 发布自浙江,悬赏 10 积分
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