Junction Temperature Measurement Based on the Internal Gate Resistance for a Wide Range of Power Semiconductors

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标题	Junction Temperature Measurement Based on the Internal Gate Resistance for a Wide Range of Power Semiconductors
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ojpel.2023.3265850
DOI	10.1109/ojpel.2023.3265850 doi
其它	期刊：IEEE Open Journal of Power Electronics 作者：Michael Gleissner; Dominik Nehmer; Mark-M. Bakran 出版日期：2023-01-01
求助人	阿龙在 2026-06-29 16:15:12 发布自广东，悬赏 10 积分
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