Nitrogen-Incorporated Silicon Dioxide Interlayer Enables Pinhole-Reduced and Robust TOPCon With a High Implied Open-Circuit Voltage over 760 mV

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标题	Nitrogen-Incorporated Silicon Dioxide Interlayer Enables Pinhole-Reduced and Robust TOPCon With a High Implied Open-Circuit Voltage over 760 mV
网址	https://doi.org/10.1002/adma.73918
DOI	10.1002/adma.73918 doi
其它	期刊：Adv Mater 作者：Liu Z, Lin C, Zhang Y, Zhang Y, Xie Y, Chen S, Zhou H, Lin Z, Liu W, Liao M, Xiao C, Ying Z, Yang X, Yang Z, Zeng Y, Ye J 出版日期：2026-07-07
求助人	清爽太阳在 2026-07-14 16:27:31 发布自陕西，悬赏 10 积分
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