High-performance lateral β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes enabled by (Al₀.₂₁Ga₀.₇₉)₂O₃/Ga₂O₃ heterostructure, sidewall electrodes, and dielectric field-plate engineering

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标题	High-performance lateral β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes enabled by (Al₀.₂₁Ga₀.₇₉)₂O₃/Ga₂O₃ heterostructure, sidewall electrodes, and dielectric field-plate engineering
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.rineng.2026.111339
DOI	10.1016/j.rineng.2026.111339 doi
其它	期刊：Results in Engineering 作者：Zhong-Lin Ye; Siddharth Rana; Sheng-Ti Chung; Irmantas Kašalynas; Kenneth Järrendahl; et al 出版日期：2026-09-01
求助人	Chen_Sam 在 2026-07-14 12:08:44 发布自广东，悬赏 10 积分
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