Mechanism of selective SiO2/photoresist reactive ion etching in an inductively coupled plasma operated in a C4F8/H2 gas mixture

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标题	Mechanism of selective SiO2/photoresist reactive ion etching in an inductively coupled plasma operated in a C4F8/H2 gas mixture
网址	https://doi.org/10.1063/5.0238676
DOI	10.1063/5.0238676 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：И Ю Нестеренко; Benjámin Kalas; Thang Duy Dao; Julian Schulze; Nikolai Andrianov 出版日期：2025-01-20
求助人	zanzan 在 2026-10-09 15:08:09 发布自江苏，悬赏 10 积分
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