Comparative study on performance of AlGaN/GaN MS-HEMTs with SiNx, SiOx, and SiNO surface passivation

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标题	Comparative study on performance of AlGaN/GaN MS-HEMTs with SiNx, SiOx, and SiNO surface passivation SiNx、SiOx和SiNO表面钝化的AlGaN/GaN MS-HEMTs性能比较研究相关领域钝化跨导高电子迁移率晶体管材料科学光电子学等离子体增强化学气相沉积击穿电压晶体管氮化镓泄漏（经济）化学气相沉积电压图层（电子）电气工程纳米技术工程类宏观经济学经济
网址	https://doi.org/10.1016/j.sse.2020.107824
DOI	10.1016/j.sse.2020.107824 doi
其它	期刊：Solid-State Electronics 作者：K. Y. Cheng; Shang‐Chi Wu; Chia-Jui Yu; Tongwen Wang; Jyun-Hao Liao; et al 出版日期：2020-04-24
求助人	happystarr 在 2025-03-16 17:18:23 发布自江苏，悬赏 10 积分
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