AlGaN/GaN E-mode MOS-HEMT Using Atomic-Layer-Deposited HfLaOx as Gate Dielectric

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标题	AlGaN/GaN E-mode MOS-HEMT Using Atomic-Layer-Deposited HfLaOx as Gate Dielectric 原子层沉积HfLaOx作为栅介质的AlGaN/GaN E模MOS-HEMT 相关领域高电子迁移率晶体管栅极电介质物理分析化学（期刊）光电子学电气工程材料科学晶体管化学电压量子力学色谱法工程类
网址	https://doi.org/10.1109/wipdaasia.2018.8734558
DOI	10.1109/wipdaasia.2018.8734558 doi
其它	期刊：2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia) 作者：Sichao Li; Qianlan Hu; Xin Wang; Mengfei Wang; Yanqing Wu 出版日期：2018-05-01
求助人	和平发展在 2025-05-09 22:51:04 发布自湖北，悬赏 10 积分
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