| 标题 |
 Industrial reliability testing of transistor gate dielectrics 相关领域
栅极电介质
电介质
可靠性（半导体）
晶体管
材料科学
光电子学
栅氧化层
电子工程
计算机科学
高-κ电介质
堆积
电气工程
电压
金属浇口
电容器
逻辑门
硅
等效门电路
高压
和大门
随时间变化的栅氧化层击穿
水准点（测量）
块（置换群论）
工程物理
与非门
场效应晶体管
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Nature electronics 作者：Ernest Y. Wu; Tibor Grasser; Mario Lanza 出版日期：2026-06-24 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Nole
东方元语
Kao
cdercder
123
xing_xing
aajhajkahna
OK
科研狗
牧青
甜甜曼凡
七听
挣积分换文献的大飞
学术文献互助
pluto
初景
aaaa
贪玩的秋柔
白石人家
心态好
皖公网安备34019202002308
