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 Impact of Insulating Layer Design in the Termination Region of SiC Devices on H3TRB Test 相关领域
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期刊：2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者：Kohei Ebihara; Hiroki Niwa; Yosuke Nakata; Toshikazu Tanioka; Takeshi Murakami; et al 出版日期：2025-06-01 |
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