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Deep-level defects induced by implantations of Si and Mg ions into undoped epitaxial GaN Si和Mg离子注入未掺杂外延GaN引起的深能级缺陷
相关领域
外延
离子
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期刊:Scientific Reports 作者:P. Kamiński; A. Turos; R. Kozłowski; Kamila Stefańska‐Skrobas; J. Żelazko; et al 出版日期:2024-06-20 |
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