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Current blocking layer enables enhanced NiO/β-Ga2O3 heterojunction vertical MOSFET with a higher power figure of merit 电流阻挡层使增强型NiO/β-Ga2O3异质结垂直MOSFET具有更高的功率品质因数
相关领域
非阻塞I/O
阻塞(统计)
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材料科学
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期刊:Engineering Research Express 作者:Xiaoxuan Ma; Suzhen Luan 出版日期:2024-12-28 |
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