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标题
Estimation of pulsed laser-induced single event transient in a partially depleted silicon-on-insulator 0.18-μm MOSFET
部分耗尽绝缘体上硅0.18 μ m MOSFET中脉冲激光诱导单事件瞬态的估计
相关领域
材料科学 光电子学 绝缘体上的硅 薄脆饼 晶体管 瞬态（计算机编程） MOSFET 硅 绝缘体（电） 脉冲激光器 电压 激光器 电气工程 光学 计算机科学 物理 工程类 操作系统
网址
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1674-1056/23/8/08...
DOI
10.1088/1674-1056/23/8/088505 doi
其它 期刊：Chinese Physics B
作者：Jin-Shun Bi; Chuan-Bin Zeng; Lin-Chun Gao; Gang Liu; Jia-Jun Luo; Zheng-Sheng Han
出版日期：2014-07-31
求助人
李沐唅 在 2025-11-15 10:24:19 发布自贵州，悬赏 10 积分
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