| 标题 |
Investigation of charge-trap memories with AlN based band engineered storage layers AlN基能带工程存储层电荷陷阱存储器的研究
相关领域
存水弯(水管)
材料科学
电荷(物理)
可靠性(半导体)
图层(电子)
光电子学
俘获
数据保留
计算机数据存储
非易失性存储器
电压
电气工程
计算机科学
纳米技术
计算机硬件
工程类
物理
功率(物理)
环境工程
生物
量子力学
生态学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Solid-State Electronics 作者:G. Molas; J. P. Colonna; R. Kies; D. Belhachemi; Marc Bocquet; et al 出版日期:2011-04-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|