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 Orientation-dependent β-Ga2O3 heterojunction diode with atomic layer deposition (ALD) NiO 相关领域
原子层沉积
非阻塞I/O
异质结
材料科学
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沉积物
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Yizheng Liu; Shane M. W. Witsell; John F. Conley; Sriram Krishnamoorthy 出版日期：2025-09-22 |
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