NBTI Reliability of PFETs under Post-Fabrication Self-Improvement Scheme for SRAM

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标题	[高分] NBTI Reliability of PFETs under Post-Fabrication Self-Improvement Scheme for SRAM 相关领域负偏压温度不稳定性静态随机存取存储器可靠性（半导体）制作降级（电信）电压阈值电压材料科学 PMOS逻辑压力（语言学）电子工程低压可靠性工程电气工程计算机科学光电子学晶体管工程类物理功率（物理）医学替代医学量子力学病理语言学哲学
网址	https://doi.org/10.1587/transele.e96.c.620
DOI	10.1587/transele.e96.c.620 doi
其它	期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Nurul Ezaila Alias; Anil Kumar; Takuya Saraya; Shinji Miyano; Toshiro Hiramoto 出版日期：2013-01-01
求助人	wlj 在 2025-10-16 21:42:05 发布自山东，悬赏 150 积分
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