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[高分]
 NBTI Reliability of PFETs under Post-Fabrication Self-Improvement Scheme for SRAM 相关领域
负偏压温度不稳定性
静态随机存取存储器
可靠性（半导体）
制作
降级（电信）
电压
阈值电压
材料科学
PMOS逻辑
压力（语言学）
电子工程
低压
可靠性工程
电气工程
计算机科学
光电子学
晶体管
工程类
物理
功率（物理）
医学
替代医学
量子力学
病理
语言学
哲学
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期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Nurul Ezaila Alias; Anil Kumar; Takuya Saraya; Shinji Miyano; Toshiro Hiramoto 出版日期：2013-01-01 |
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