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 Polarization-induced charge and electron mobility in AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 等离子体辅助分子束外延生长AlGaN/GaN异质结构中极化诱导的电荷和电子迁移率
相关领域
分子束外延
异质结
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电子迁移率
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：I. P. Smorchkova; C. R. Elsass; J. P. Ibbetson; R. Vetury; B. Heying; et al 出版日期：1999-10-15 |
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