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 Vertically grown metal nanosheets integrated with atomic-layer-deposited dielectrics for transistors with subnanometre capacitance-equivalent thicknesses 用于亚纳米电容等效厚度晶体管的与原子层沉积电介质集成的垂直生长金属纳米片
相关领域
电容
材料科学
原子层沉积
电介质
图层（电子）
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金属
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工程类
物理化学
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期刊：Nature electronics 作者：Lei Zhang; Zhaochao Liu; Wei Ai; Jiabiao Chen; Zunxian Lv; et al 出版日期：2024-07-08 |
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