Controlling the beam angle spread of carbon implantation for improvement of bin map defect in V-NAND flash memory

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标题	Controlling the beam angle spread of carbon implantation for improvement of bin map defect in V-NAND flash memory
网址	https://doi.org/10.1016/j.memori.2023.100027
DOI	10.1016/j.memori.2023.100027 doi
其它	期刊：Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems 作者：Gui-Fu Yang; Sung-Hwan Jang; SUNG-UK JANG; Tae-Hyun Lee; Da-Hye Kim; et al 出版日期：2023
求助人	Ranchoujay 在 2026-03-27 23:13:26 发布自比利时，悬赏 10 积分
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