High-Voltage β-Ga2O3 RF MOSFETs With a Shallowly-Implanted 2DEG-Like Channel

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标题	High-Voltage β-Ga2O3 RF MOSFETs With a Shallowly-Implanted 2DEG-Like Channel 浅注入类2DEG沟道的高压β-Ga2O3射频MOSFETs 相关领域物理算法拓扑（电路）数学组合数学
网址	https://doi.org/10.1109/led.2023.3282454
DOI	10.1109/led.2023.3282454 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Xinxin Yu; Haigang Gong; Jianjun Zhou; Zhongshan Shen; Wenhui Xu; et al 出版日期：2023-07-01
求助人	yaronyuan 在 2023-11-17 09:54:13 发布自湖北，悬赏 10 积分
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