Mechanism of current-collapse free for lateral GaN Schottky barrier diodes utilizing polarization-induced hole injection

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标题	Mechanism of current-collapse free for lateral GaN Schottky barrier diodes utilizing polarization-induced hole injection 极化诱导空穴注入GaN肖特基势垒二极管无电流崩塌机理相关领域材料科学阳极光电子学肖特基势垒电流密度二极管量子隧道肖特基二极管极化（电化学）退火（玻璃）宽禁带半导体蚀刻（微加工）图层（电子）电极纳米技术复合材料化学物理化学物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0087736
DOI	10.1063/5.0087736 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Tao Zhang; Ruohan Li; Yanni Zhang; Huake Su; Weihang Zhang; et al 出版日期：2022-06-06
求助人	hehe 在 2024-03-28 15:24:42 发布自广东，悬赏 10 积分
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