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标题
Thick-AlN-barrier AlN/GaN-based HEMTs with superior power and noise performance for low-voltage RF front-end applications
适用于低压射频前端应用的具有卓越功率和噪声性能的厚AlN势垒AlN/GaN基HEMT
相关领域
宽禁带半导体 材料科学 光电子学 前端和后端 电压 噪音（视频） 无线电频率 氮化镓 功率（物理） 电气工程 电子工程 计算机科学 纳米技术 图层（电子） 工程类 物理 量子力学 人工智能 图像（数学） 操作系统
网址
https://doi.org/10.1063/5.0257620
DOI
10.1063/5.0257620 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Haochen Zhang; Mingshuo Zhang; Hu Wang; Xinchuan Zhang; Hui Zhang; et al
出版日期：2025-03-01
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2511 在 2025-05-03 16:21:51 发布自俄罗斯，悬赏 10 积分
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