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 Initial growth control of GaN on Si with physical-vapor-deposition-AlN seed layer for high-quality GaN templates 用于高质量GaN模板的物理气相沉积AlN籽晶层在Si上GaN的初始生长控制
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期刊：Applied Physics Express 作者：Hongbo Wang; Hassanet Sodabanlu; Yoshiaki Daigo; Takuya Seino; Takashi Nakagawa; et al 出版日期：2016-04-06 |
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