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 Corrigendum: “Significant reduction in sidewall damage related external quantum efficiency (EQE) drop in red InGaN microLEDs (∼625 nm at 1 A cm −2 ) with device sizes down to 3 μm” [Jpn. J. Appl. Phys. 63 030904 (2024)] 相关领域
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Surjava Sanyal; Qinchen Lin; Timothy Shih; Shijie Zhang; Guangying Wang; et al 出版日期：2024-10-01 |
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