Strain relaxation process and evolution of crystalline morphologies during the growths of SiGe on Si(110) by solid-source molecular beam epitaxy

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标题	Strain relaxation process and evolution of crystalline morphologies during the growths of SiGe on Si(110) by solid-source molecular beam epitaxy
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105042
DOI	10.1016/j.mssp.2020.105042 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Shingo Saito; Yuichi Sano; Takane Yamada; Kosuke O. Hara; Junji Yamanaka; et al 出版日期：2020-07-01
求助人	车车在 2026-08-20 11:02:57 发布自陕西，悬赏 10 积分
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