Novel Channel Backside Engineering for Highly Reliable QLC Operation in 3D Flash Memory

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标题	Novel Channel Backside Engineering for Highly Reliable QLC Operation in 3D Flash Memory
网址	http://dx.doi.org/10.1109/imw68301.2026.11532920
DOI	10.1109/imw68301.2026.11532920 doi
其它	期刊：2026 IEEE International Memory Workshop (IMW) 作者：Takayuki Gyakushi; Yukihiro Sakotsubo; Hikaru Arakawa; Tadashi Nakamura; Yosuke Mitsuno; et al 出版日期：2026-05-10
求助人	PN_Allen 在 2026-09-18 14:03:36 发布自上海，悬赏 10 积分
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