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标题
Basal plane dislocation conversion near the epilayer/substrate interface in epitaxial growth of 4° off-axis 4H–SiC
网址
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002202481...
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2013.02.011 doi
其它 期刊：Journal of Crystal Growth
作者：Haizheng Song; Tangali S. Sudarshan
出版日期：2013-02-19
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shun 在 2026-02-02 18:51:59 发布自中国香港，悬赏 10 积分
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