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 4H-SiC trench filling by chemical vapor deposition using trichlorosilane as Si-species precursor 以三氯硅烷为前驱体的化学气相沉积4H-SiC沟槽填充
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三氯氢硅
沟槽
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Zhifei Zhao; Yun Li; Yi Wang; Ping Zhou; Zhonghui Li; et al 出版日期：2023-01-25 |
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