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 A new generation of high voltage MOSFETs breaks the limit line of silicon |
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期刊：International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217) 作者：G. Deboy; N. Marz; J.-P. Stengl; H. Strack; J. Tihanyi; et al 出版日期：暂无 |
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