0.79 mΩ•cm 2 and 1.1 kV Vertical Mo/β-Ga 2 O 3 Deep-Trench-HJBS Diode with Double Drift Layers

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标题	0.79 mΩ•cm 2 and 1.1 kV Vertical Mo/β-Ga 2 O 3 Deep-Trench-HJBS Diode with Double Drift Layers
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/11553432/11553442/115535...
DOI	10.1109/ispsd64561.2026.11553594 doi
其它	期刊：2026 IEEE 38th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者：Qiuyan Li; Jinyang Liu; Qi Liu; Song He; Zaitian Han; et al 出版日期：2026-06-12
求助人	Mercury 在 2026-10-11 15:45:13 发布自广东，悬赏 10 积分
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