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 Limiting Thickness of Pore Walls Formed in Processes of Anode Etching of Heavily Doped Semiconductors 重掺杂半导体阳极蚀刻过程中形成的孔壁厚度的限制
相关领域
材料科学
兴奋剂
阳极
限制
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期刊：Technical Physics 作者：G. G. Zegrya; V. P. Ulin; A. G. Zegrya; V. M. Freiman; N. V. Ulin; et al 出版日期：2023-12-01 |
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