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Synergistic Effects of Deposition Temperatures for Active and Gate Insulator of Top-Gate Thin-Film Transistors Using InGaZnO Channels Prepared by Thermal Atomic-Layer Deposition
热原子层沉积InGaZnO沟道顶栅薄膜晶体管有源绝缘体和栅极绝缘体沉积温度的协同效应
相关领域
原子层沉积 材料科学 薄膜晶体管 沉积（地质） 光电子学 图层（电子） 活动层 晶体管 薄膜 纳米技术 电气工程 电压 工程类 沉积物 生物 古生物学
网址
https://doi.org/10.1021/acsaelm.4c01380
DOI
10.1021/acsaelm.4c01380 doi
其它 期刊：ACS Applied Electronic Materials
作者：Ye-Jin Seo; Jae‐Wook Lee; Young-Ha Kwon; Nak‐Jin Seong; Kyu-Jeong Choi; et al
出版日期：2024-09-30
求助人
赖新儿 在 2025-08-19 12:12:28 发布，悬赏 10 积分
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