Analytical 3D Surface Potential Model of a Junction-Based Triple-Gate MOSFET Device

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标题	Analytical 3D Surface Potential Model of a Junction-Based Triple-Gate MOSFET Device 基于结的三栅MOSFET器件的三维表面电位解析模型相关领域 MOSFET 曲面（拓扑）计算机科学光电子学三联结材料科学电气工程晶体管电压几何学工程类数学
网址	https://doi.org/10.1080/02564602.2021.1927864
DOI	10.1080/02564602.2021.1927864 doi
其它	期刊：IETE Technical Review 作者：Ria Bose; J. N. Roy 出版日期：2021-05-24
求助人	Qogir 在 2025-08-30 02:20:21 发布自宁夏，悬赏 30 积分
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