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 Analytical 3D Surface Potential Model of a Junction-Based Triple-Gate MOSFET Device 基于结的三栅MOSFET器件的三维表面电位解析模型
相关领域
MOSFET
曲面（拓扑）
计算机科学
光电子学
三联结
材料科学
电气工程
晶体管
电压
几何学
工程类
数学
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期刊：IETE Technical Review 作者：Ria Bose; J. N. Roy 出版日期：2021-05-24 |
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