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标题
Analysis of SEGR in Silicon Planar Gate Super-Junction Power MOSFETs
硅平面栅超结功率MOSFET中的SEGR分析
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功率MOSFET 材料科学 平面的 MOSFET 光电子学 功率半导体器件 晶体管 硅 电气工程 垂直的 栅氧化层 功率（物理） 场效应晶体管 电场 工程类 电压 物理 计算机科学 计算机图形学（图像） 量子力学 数学 几何学
网址
https://doi.org/10.1109/tns.2021.3053168
DOI
10.1109/tns.2021.3053168 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science
作者：K. Muthuseenu; Hugh J. Barnaby; K.F. Galloway; A. E. Koziukov; Т. A. Maksimenko; et al
出版日期：2021-01-20
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