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 Analysis of SEGR in Silicon Planar Gate Super-Junction Power MOSFETs 硅平面栅超结功率MOSFET中的SEGR分析
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期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：K. Muthuseenu; Hugh J. Barnaby; K.F. Galloway; A. E. Koziukov; Т. A. Maksimenko; et al 出版日期：2021-01-20 |
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