| 标题 |
  Subthreshold Kink Effect in Gate-All-Around MOSFETs Based on Void Embedded Silicon on Insulator Technology 基于绝缘体上空隙嵌入硅技术的全栅极MOSFET亚阈值扭结效应
相关领域
绝缘体上的硅
MOSFET
硅
阈下传导
光电子学
阈下斜率
材料科学
空隙（复合材料）
逻辑门
电气工程
工程物理
凝聚态物理
电子工程
晶体管
物理
工程类
电压
复合材料
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Yuxin Liu; Qiang Liu; Jin Chen; Zhiqiang Mu; Xing An 出版日期：2024-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
BowieHuang
寻道图强
yyds
风清扬
Criminology34
andrele
GingerF
繁星长明
Momomo
Adc
Mufreh
spongebob
轨迹
YifanWang
Wind
走啊走
无极微光
hkl1542
lky
淡淡萍
爱听歌的复天
RJ
Twonej
你嵙这个期刊没买
皖公网安备34019202002308
