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 Degradation assessment of 1.2-kV SiC MOSFETs and comparative study with 1.2-kV Si IGBTs under power cycling 相关领域
动力循环
材料科学
绝缘栅双极晶体管
可靠性（半导体）
焊接
温度循环
MOSFET
降级（电信）
碳化硅
功率MOSFET
光电子学
功率半导体器件
稳健性（进化）
电子工程
电气工程
图层（电子）
工程物理
电源模块
结温
根本原因
可靠性工程
电力电子
功率（物理）
阈值电压
热疲劳
炸薯条
压力（语言学）
加速老化
电路可靠性
电压
随时间变化的栅氧化层击穿
逻辑门
法律工程学
使用寿命
瞬态（计算机编程）
生产线后端
热的
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：Yuan Chen; Hong‐Zhong Huang; Yunliang Rao; Zhiyuan He; Ping Lai; et al 出版日期：2022-04-05 |
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