| 标题 |
Current Enhancement Behavior Under Positive Bias Stress in a-InGaZnO Thin-Film Transistors 相关领域
钝化
材料科学
阈值电压
薄膜晶体管
晶体管
压力(语言学)
光电子学
电子
散射
电介质
MOSFET
俘获
饱和(图论)
噪音(视频)
氧化物
无定形固体
凝聚态物理
饱和电流
不稳定性
偏压
电子迁移率
降级(电信)
负偏压温度不稳定性
电流(流体)
电压
氢
载流子散射
屏蔽效应
栅极电介质
场效应晶体管
活化能
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)