α -(AlxGa1−x)2O3 single-layer and heterostructure buffers for the growth of conductive Sn-doped α-Ga2O3 thin films via mist chemical vapor deposition

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标题	α -(AlxGa1−x)2O3 single-layer and heterostructure buffers for the growth of conductive Sn-doped α-Ga2O3 thin films via mist chemical vapor deposition
网址	http://dx.doi.org/10.1063/5.0023041
DOI	10.1063/5.0023041 doi
其它	期刊：APL Materials 作者：Giang T. Dang; Shota Sato; Yuki Tagashira; Tatsuya Yasuoka; Li Liu; et al 出版日期：2020-10-01
求助人	zht 在 2026-10-22 14:45:23 发布自福建，悬赏 10 积分
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