A 29-Gb/mm2 1-Tb 3-b/Cell 3-D Flash Memory With CMOS Direct Bonded Array (CBA) Technology

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标题	A 29-Gb/mm2 1-Tb 3-b/Cell 3-D Flash Memory With CMOS Direct Bonded Array (CBA) Technology 采用CMOS直接键合阵列(CBA)技术的29-Gb/mm2 1-Tb 3-b/单元3-D闪存相关领域电磁干扰电磁屏蔽电磁干扰材料科学光电子学电子工程计算机科学电气工程工程类
网址	http://dx.doi.org/10.1109/JSSC.2025
DOI	10.1109/JSSC.2025 doi 提醒：求助人提供的doi与AI识别不一致 10.1088/1361-6463/ad80a5 Doi
求助人	Dddddddd 在 2025-12-17 17:21:25 发布自广东，悬赏 20 积分
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