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Impact of Charge-Trapping Effects on Reliability Instability in AlxGa1−xN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Various Al Compositions 电荷俘获效应对不同Al成分AlxGa1-xN/GaN高电子迁移率晶体管可靠性不稳定性的影响
相关领域
俘获
材料科学
晶体管
可靠性(半导体)
不稳定性
电子
光电子学
电荷(物理)
电气工程
电压
物理
工程类
量子力学
生物
功率(物理)
机械
生态学
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| 其它 |
期刊:Materials 作者:Walid Amir; Surajit Chakraborty; Hyuk-Min Kwon; Tae‐Woo Kim 出版日期:2023-06-19 |
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