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Degradation Analysis of SiC MOSFETs Under High Temperature Gate Bias Stress Above 200°C
SiC MOSFET在200℃以上高温栅极偏压下的退化分析
网址
https://doi.org/10.1109/icept67137.2025.11157043
DOI
10.1109/icept67137.2025.11157043 doi
其它 期刊：
作者：Zhen Luo; Qianli Lu; Zhiyuan He; Xia Luo; Jinbao Cai; et al
出版日期：2025-08-05
求助人
满意大门 在 2025-12-03 08:52:55 发布自重庆，悬赏 10 积分
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