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 Optimization of the surface morphologies and electron mobilities in GaN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 等离子体辅助分子束外延生长GaN表面形貌和电子迁移率的优化
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期刊：Applied Physics Letters 作者：B. Heying; I. P. Smorchkova; C. Poblenz; C. R. Elsass; P. Fini; et al 出版日期：2000-10-30 |
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