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标题
Suppression of Kink in the Output Characteristics of AlInN/GaN High Electron Mobility Transistors by Post-Gate Metallization Annealing
栅极后金属化退火抑制AlInN/GaN高电子迁移率晶体管输出特性中的扭结
相关领域
材料科学 阈值电压 退火（玻璃） 光电子学 晶体管 撞击电离 电场 宽禁带半导体 电离 电子 凝聚态物理 电压 电气工程 离子 化学 物理 复合材料 工程类 有机化学 量子力学
网址
https://ieeexplore.ieee.org/ielx7/6245494/10049274/09963604....
AI链接 ieee.org ieee.org doaj.orgdoi.org
DOI
10.1109/jeds.2022.3224500 doi
其它 期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society
作者：Sujan Sarkar; Ramdas P. Khade; Ajay Shanbhag; Nandita DasGupta; Amitava DasGupta
出版日期：2022-11-24
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哐哐哐 在 2025-12-05 18:39:23 发布自安徽，悬赏 10 积分
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