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 Introduction of charge-trapping Al2O3/Ta2O5/Al2O3 dielectric stack in AlGaN/GaN high electron mobility transistors for programmable threshold voltage 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Prachi Pohekar; Bhanu B. Upadhyay; Bazila Parvez; Swaroop Ganguly; Dipankar Saha 出版日期：2025-03-01 |
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