The in-situ parasitic microstructure interface and defect formation mechanism in (010) β-Ga2O3 epitaxial film via MOCVD

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标题	The in-situ parasitic microstructure interface and defect formation mechanism in (010) β-Ga2O3 epitaxial film via MOCVD 相关领域材料科学金属有机气相外延外延微观结构接口（物质）原位机制（生物学）光电子学纳米技术冶金复合材料图层（电子）哲学物理认识论毛细管数毛细管作用气象学
网址	https://doi.org/10.1007/s40843-024-3221-0
DOI	10.1007/s40843-024-3221-0 doi
其它	期刊：Science China. Materials 作者：Xianqiang Song; Yunlong He; Zhan Wang; Xiaoli Lu; Jing Zhi Sun; et al 出版日期：2025-01-02
求助人	轻松如冬在 2026-01-13 13:44:28 发布自江苏，悬赏 10 积分
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